MPŠ
MPŠ MP&Scaron MP&Scaron MP&Scaron Avtorji

Mednarodna
podiplomska šola
Jožefa Stefana

Jamova 39
SI-1000 Ljubljana
Slovenija

Tel: (01) 477 31 00
Faks: (01) 477 31 10
E-pošta: info@mps.si

Išči

Aktualne novice

11.5.2015
Vabimo vas na 19. predavanje iz sklopa "Kolokviji na IJS" v letu 2014/15, ki bo v sredo, 13. maja 2015, ob 13. uri v Veliki predavalnici Instituta »Jožef Stefan« na Jamovi cesti 39 v Ljubljani.

Napovednik predavanja najdete tudi na naslovu http://www.ijs.si/ijsw/Koledar_prireditev, posnetke preteklih predavanj pa na http://videolectures.net/kolokviji_ijs.

Prof. dr. Alan C. Seabaugh
University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, ZDA
 
Tranzistorji na osnovi dihalkogenidov prehodnih kovin, dopiranih z ioni

Tankoplastni tranzistorji z debelino nekaj atomskih plasti so vse bolj zanimivi za uporabo v mikroelektroniki. Taki tranzistorji omogočajo vrhunsko elektrostatično kontrolo delovanja vrat, majhno gostoto elektronskih stanj na mejni površini, vzpostavitev spoja med komponentami brez strukturnih napetosti in fleksibilnost. Za proizvodnjo tovrstnih naprav je potrebno razviti metode za rast atomsko tankih plasti z veliko površino in s kontrolirano gostoto strukturnih napak, ohmske kontakte, načine dopiranja spojev in nukleacije tankoplastnih dielektričnih vrat ter procese samourejanja. Predstavili bomo zadnje dosežke v razvoju tranzistorjev na osnovi dihalkogenidov prehodnih kovin v obliki nanocevk in lističev. Opisali bomo na?ine dopiranja tovrstnih naprav s trdnimi polimernimi dielektriki ter z ioni litija in cezija.
Predavanje bo v angleščini.

Lepo vabljeni!